本案涉及權利人為A公司、其為一積體電路電路布局設計（下稱系爭布局設計）。

B公司針對系爭布局設計向中國大陸國知局以不符《集成電路布圖設計保護條例》（以下簡稱布圖設計條例）第四條的規定為由請求撤銷。中國大陸國知局作出決定（下稱被訴決定），維持系爭布局設計有效。B公司不服，向北京智慧財產權法院提起訴訟，請求撤銷被訴決定。

一審法院認為，在判斷獨創性時，應將獨創點在該布局設計中對應的部分作為一個整體考慮。對於PMOS電晶體和NMOS電晶體而言，即使二者在結構上相互對稱、功能上可互換，但在積體電路電路布局設計的三維配置和布局層次中，不宜認定二者可隨意簡單替換。綜上，本案案證據不足證明獨創點整體對應的布局設計屬公認的常規設計。因此系爭布局設計具獨創性，一審法院據此駁回B公司的訴訟請求。B公司不服，便向最高人民法院提起上訴。

最高人民法院認為，權利人的獨創性說明對判斷布局設計的獨創性具參考作用，此外，判斷布局設計是否屬積體電路電路布局設計中公認的常規設計，其依據的技術資料、應用物件都應限定為更為具體的布局設計層面，而非泛指更為抽象的邏輯設計或電路布局設計層面。在布局設計中，NMOS和PMOS基於有源區、源極接觸、汲極接觸不同的摻雜類型實現不同導電類型的溝道，並非單純的對稱關係或複製關係，其實現過程需製作不同摻雜區域，並導致技術和布圖的差別，在面積和阻抗方面的差異較為明顯。

本案中，證據6與系爭布局設計不僅在MOS選擇上存在差異，其對應布圖層數、與其他元件的連接關係均不同，本布圖設計的NMOS相較於證據6的PMOS多出深阱層，NMOS和PMOS的源極、汲極、柵極連接關係各不相同，上述差異化的電晶體布圖設計即是綜合各種因素的體現，B公司的證據不足證明將證據6中的PMOS替換為系爭布局設計的NMOS是積體電路電路布局設計領域中公認的常規設計。綜上，被訴決定和一審判決的認定並無不當。

資料來源：集成电路布图设计独创性认定中公认的常规设计的判断，最高人民法院知識產權法庭，2025年5月15日。 <https://ipc.court.gov.cn/zh-cn/news/view-4281.html>