VLSI Technology LLC（後稱VLSI）於2018年向德拉瓦州地院 (District Court for the District of Delaware) 對Intel Corporation（後稱Intel）提出美國第7,247,552號專利侵權訴訟，系爭專利涉及一種用來減輕集成電路焊盤壓力引起缺陷問題的技術。地院隨後進行申請專利範圍解釋之聽證 (claim construction hearing)，並對力區 (force region) 一詞之合適意義認定為一個在集成電路內的區域，而該區域會在晶片黏結 (die attach) 時，壓力會在該區域的互聯結構上發揮作用，此定義經雙方合意且此定義後也經地院採用。2019年6月，於上述侵權訴訟提出後，申請專利範圍解釋程序 (claim construction proceedings) 進行前，Intel向PTAB提出系爭專利的3件兩造重審 (Inter Partes Review, IPR)，然嗣後PTAB作出之立案理由內並不肯認VLSI對於力區定義之主張。
 

如前所述，VLSI於IPR程序續用的力區一詞乃基於限制性定義，並主張引證案並未揭露系爭專利內的力區，PTAB於最終書面意見內，將力區的合適意義認定為至少應包含在焊盤正下方的區域，而使被挑戰的請求項成為顯而易見的，最後作出系爭專利被挑戰的全數請求項非為可准予專利標的的最終書面決定，VLSI因不服前述結果便上訴至CAFC。
 

CAFC庭審中表示，VSLI提出PTAB拒絕採用兩造合意的力區一詞合適意義，而是自行解釋之合適意義的決定有誤。CAFC則表示，雖兩造合意對特定詞彙的解釋，然若該解釋非屬正確，PTAB不必然須依循兩造合意的詞彙解釋進行審理。CAFC進一步指出，IPR請求內對定義申請專利範圍的原則並不阻卻PTAB得依本身的分析進行申請專利範圍解釋。最後，CAFC維持PTAB做出被挑戰的系爭請求項非為可准予專利標的之最終書面意見。

資料來源：

1. Federal Circuit Upholds IPR Decision Canceling VLSI’S Claims, IPO Daily News, November 16, 2022.
2. VLSI Technology LLC, v. Intel Corporation, Fed Circ. 2021-1826, 2021-1827, 2021-1828., November 15, 2022.