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韓國智慧財產權部發布半導體發明審查基準

2026.08.19

韓國智慧財產權部 (MOIP) 宣布為半導體產業量身打造特定專利審查基準,因MOIP認為有必要建立能夠反映這些半導體技術特性的明確標準。雖然基準與一般的審查實務並無實質差異,但特別提供半導體領域的具體範例,以協助申請人準備該領域的韓國申請案。以下摘錄審查基準內容。
可據以實施要件:
發明須在說明書中清楚且具體地描述,使所屬技術領域中具有通常知識者 (PHOSITA)能夠輕易實施該發明。基準強調,PHOSITA須能在不「增加特殊知識」的情況下,準確理解並重現該發明。
不符可據以實施要件之範例:基準提供不符合可據以實施要件的範例,如下:
  • 缺乏支持的申請組態。
  • 技術上不可能實現的程序。

申請專利範圍記載要件:專利申請案中的所有請求項必須受說明書支持,且須清楚簡潔。

不符合支持要件之範例:基準提供不符合支持要件的範例,如下:
  • 缺乏支持的請求項術語。 
  • 遺漏或擴大必要技術特徵。

不符合明確性要件之範例:提供請求項未能滿足明確性要件的範例,如下。
  • 範疇不明確。 
  • 不確定的相對性用語,例如使用「高/低」、「適當」等用語。 
  • 相關請求項之間的技術內容不一致。

新穎性/進步性要件:基準提供發明具備進步性的範例。
  • 先前技術缺乏具體細節或效果。
  • 不同的問題解決原理。

不符合進步性要件之範例:基準提供否定申請發明進步性的範例,如下:
  • 將一般常識應用於先前技術即可輕易推導。
  • 同技術領域間顯而易見的材料替換。

以製法界定之物品請求項 (PBP請求項):
  • 評估基準:基於最終產品的結構或性質評估專利性,而非僅基於其製造方法。
  • 不具新穎性之範例:若製造方法未改變產品的結構,則該發明不具新穎性。例如雖然標註孔洞是透過鑽孔形成,但結構與現有孔洞相同,則不具新穎性。

資料來源:MOIP Publishes Examination Guidelines for Semiconductor Inventions, Kim & Chang, August 11, 2026.
<https://www.ip.kimchang.com/en/insights/detail.kc?sch_section=4&idx=35361>
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